商品信息
商品货号:
004454商品重量:
0.018克
AO3400 (A09T或A01T)MOS场效应管 SOT-23封装
具体参数：
| FET 类型 | N 沟道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 5.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 7nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 630pF @ 15V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1.4W（Ta） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 26.5 毫欧 @ 5.7A，10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3L |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
相关资料参考链接：http://wenku.baidu.com/view/3018940a763231126edb11dd.html
实物拍摄：
