IRFZ48N TO-220 MOS场效应

产品资料：

产品种类：MOSFET
RoHS指令：符合RoHS详细信息
技术：硅
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
通道数量：1通道
晶体管极性：N沟道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
ID-连续漏极电流：64中
RDS开 - 漏源导通电阻：14毫欧
VGS - 栅极 - 源极电压：20 V
Qg-栅极电荷：54 NC
封装：管
PD-功率耗散：94Wˉˉ
工厂包装数量：50
晶体管类型：1 N沟道
单位重量：6克

实物拍摄：